離子遷移是指電路板上的金屬如銅、銀、錫等在一定條件下發(fā)生離子化并在電場(chǎng)作用下通過(guò)絕緣層向另一極遷移而導(dǎo)致絕緣性能下降。
產(chǎn)生離子遷移的原因，是當(dāng)絕緣體兩端的金屬之間有直流電場(chǎng)時(shí)，這兩邊的金屬就成為兩個(gè)電極，其中作為陽(yáng)極的一方發(fā)生離子化并在電場(chǎng)作用下通過(guò)絕緣體向另一邊的金屬(陰極)遷移。從而使絕緣體處于離子導(dǎo)電狀態(tài)。顯然，這將使絕緣體的絕緣性能下降甚至成為導(dǎo)體而造成短路故障。
最早對(duì)這一現(xiàn)象進(jìn)行研究的是美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的 kohman 等人,他們發(fā)現(xiàn)在電話(huà)交換機(jī)的連接件中，有些鍍?cè)阢~接線(xiàn)柱上的銀在酚醛樹(shù)脂基板內(nèi)有檢出，他們證實(shí)是銀離子的遷移。
這種現(xiàn)象有時(shí)會(huì)引起基板的絕緣性能下降。其發(fā)生的原因可能是在直流電壓下受潮的鍍層發(fā)生離子化而引起的。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，除了銀外，鋁、錫都有類(lèi)似現(xiàn)象。
但是很長(zhǎng)一個(gè)時(shí)期幾乎沒(méi)有人關(guān)注這方面的研究。直到二十世紀(jì)七十年代，有關(guān)這方面的研究又開(kāi)始引起人們的注意。這時(shí)以陶瓷為基板的高密度印刷線(xiàn)路板和覆銅線(xiàn)路板開(kāi)始向小型化方向發(fā)展，使對(duì)基板材質(zhì)的研究有所發(fā)展，使得又有人開(kāi)始注意到離子遷移對(duì)基板絕緣性能的影響。
離子遷移測(cè)試是評(píng)價(jià)電子產(chǎn)品或元件的絕緣可靠性的一種測(cè)試方法，將樣品置于高溫高濕度的環(huán)境中，并在相鄰的兩個(gè)絕緣網(wǎng)絡(luò)之間施加一定的直流電壓(偏置電壓)，在長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試條件下，檢測(cè)兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)之間是否有絕緣失效。
將測(cè)試樣品放置于高溫高濕的環(huán)境試驗(yàn)箱中，并在線(xiàn)路板上焊接電纜線(xiàn)，施加偏置電壓，然后每隔一段時(shí)間，將PCB從環(huán)境試驗(yàn)箱中取出，進(jìn)行絕緣電阻測(cè)試，這是一種間斷式的測(cè)試方法。
有效的離子遷移測(cè)試，需要將測(cè)試樣品放置于高溫高濕的環(huán)境試驗(yàn)箱中，并在線(xiàn)路板上焊接電纜線(xiàn)，引出至環(huán)境試驗(yàn)箱外的有關(guān)測(cè)試設(shè)備上，在線(xiàn)路板上施加促進(jìn)離子遷移發(fā)生的偏置電壓和進(jìn)行絕緣電阻測(cè)試，同時(shí)能實(shí)時(shí)檢測(cè)測(cè)試樣品上的泄漏電流。
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